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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116305798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310078452.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统是由宋运兴;彭伟杰设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统，属于超导磁体系统优化技术领域，方法包括：通过蒙特卡罗模拟由几何参数和电磁参数公差导致的磁场漂移情况，得到n组待匀场的裸磁场组；根据磁体尺寸要求，选取四个匀场因素的取值范围，构建DOE试验组；对各个试验组利用二分改进OTMF算法，以使用匀场片总厚度最小为目标函数，对不均匀度最大的裸磁场进行匀场；根据匀场结果选取若干种匀场设计方法；分别在若干种匀场设计方法下，对n组待匀场的裸磁场组进行匀场；选取匀场效果最佳的匀场设计方法作为最佳被动匀场优化设计。本发明通过设计四个匀场因素完成对超导磁共振磁体的被动匀场优化。

本发明授权一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：给定待匀场超导磁体的几何参数和电磁参数； S2：通过蒙特卡罗模拟由几何参数和电磁参数公差导致的磁场漂移情况，得到n组待匀场的裸磁场组； S3：根据磁体尺寸要求，选取环向匀场条的数目、每根匀场条的空腔个数、匀场片的尺寸以及匀场片之间的间距四个匀场因素的取值范围，构建DOE试验组； S4：对DOE各个试验组利用二分改进OTMF算法，以使用匀场片总厚度最小为目标函数，对不均匀度最大的裸磁场进行匀场，得到DOE试验组的非整数解； S5：根据DOE试验组的匀场结果选取若干种匀场设计方法； S6：分别在若干种匀场设计方法下，对n组待匀场的裸磁场组进行匀场，得到n组裸磁场的整数解； S7：选取整数匀场效果最佳的匀场设计方法作为最佳被动匀场优化设计； 二分改进OTMF算法的具体执行方法，包括以下步骤： a.初始化，；其中，为匀场前DSV区域的不均匀度；为允许最大不均匀度的最小值；为允许最大不均匀度的最大值； b．取，代入OTMF模型进行求解； c.若无解，则表明DSV区域不均匀度的最小值比大，令，转至步骤b； d．若有解，则表明DSV区域不均匀度的最小值比小，令；若则表明DSV区域不均匀度达到设置的精度值，OTMF算法结束，否则转至步骤b。

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