北京大学魏进获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310147356.7，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法是由魏进;刘思航;杨俊杰设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法，利用自对准工艺和用一次或多次离子注入在沟槽栅两侧形成的深P型侧壁区，沟槽侧方充当沟道区，侧下方作为屏蔽层，使器件元胞结构更加紧凑，增加了沟道密度，降低了沟道电阻，并且缩小了P型屏蔽层到沟槽的距离，能够有效地屏蔽栅氧电场。
本发明授权一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤： 1）在N型重掺杂碳化硅衬底上依次外延生长N型轻掺杂碳化硅漂移区和N型掺杂JFET区； 2）在所述JFET区上形成刻蚀掩膜，在JFET区内刻蚀形成碳化硅沟槽； 3）在所述碳化硅沟槽中填充注入掩膜； 4）去除所述刻蚀掩膜； 5）利用自对准工艺，采用一次或多次离子注入形成深P型侧壁区，其中至少包含一次高能离子注入或与碳化硅漂移区0001向平行的通道离子注入；P型侧壁区的深度大于沟槽的深度，将其中在沟槽侧方的区域作为沟道区，其他在沟槽侧下方的区域作为屏蔽层； 6）在所述P型侧壁区上，通过选择性离子注入分别制备N型重掺杂源区和P型重掺杂区； 7）去除所述注入掩膜； 8）在所述碳化硅沟槽内表面通过热氧化生长二氧化硅，得到栅介质层，并沉积重掺杂的多晶硅形成栅极； 9）在器件上表面淀积二氧化硅层，通过光刻和刻蚀形成栅极顶部介质层；然后在器件上、下表面分别制备源极和漏极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号