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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223423.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权GaN HEMT器件及其制备方法是由王路宇;张鹏浩;徐敏;陈鲲;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaNHEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaNAlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaNHEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaNHEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaNHEMT器件性能的效果。

本发明授权GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上沿背离衬底的方向依次外延形成缓冲层、界面层、隔离层； 在所述隔离层上外延若干层超晶格结构，每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层； 对所述若干层超晶格结构进行选择性刻蚀，以在所述隔离层沿第一方向的两侧形成隔离台面； 去除所述隔离层的第一部分，以在所述若干层超晶格结构与所述界面层之间形成空腔；其中，所述空腔位于所述若干层超晶格结构的部分区域的下方，且位于所述空腔上方的所述若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线； 在所述若干层超晶格结构上外延形成源极与漏极，其中，所述源极与所述漏极沿所述第一方向位于所述空腔的两侧； 在所述空腔的栅极区域沉积栅介质，所述栅介质从四周包裹住所述超晶格纳米线； 在所述栅介质从四周包裹住所述超晶格纳米线之后，在所述超晶格纳米线的外周沉积栅金属，所述栅金属从四周包裹住所述超晶格纳米线。

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