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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116281841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310249660.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法是由王海容;曹慧通;张泽;胡宗鑫;贾琛;张群明设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法，包括在Si基底正面和背面，分别制备SiO2‑Si3N4双层复合薄膜；正面复合薄膜上，沉积绝缘层，以自组装单层SiO2微球为模板，配合金属氧化物SnO2的射频溅射，通过在丙酮中超声去除SiO2微球制备SnO2多孔薄膜，在此基础上利用电子束蒸发技术蒸镀Au，热处理以形成团聚粒子；在硅片正面得到敏感电极及引线盘、加热电极及引线盘，刻蚀得到背面凹槽，得到带有绝热槽的传感器。Au纳米粒子修饰SnO2多孔薄膜的一致性高、传感器响应速度快、功耗低，满足乙炔检测中超低检测限与体积限制要求。

本发明授权一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低检测限MEMS乙炔气体传感器的制备方法，其特征在于，包括： 1在Si基底正面和背面，分别制备SiO2-Si3N4双层复合薄膜； 2在正面SiO2-Si3N4双层复合薄膜上，依次沉积SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层，并退火； 3在正面绝缘层上，通过匀胶光刻得到敏感材料区域的图形； 4在带有敏感材料区域图形的硅片正面制备单层SiO2微球，将硅片在一定温度下倾斜加热，SiO2微球在表面进行自组装，得到SiO2微球掩蔽层； 5在带有SiO2微球掩蔽层的硅片正面溅射SnO2薄膜，剥离得到带有SiO2微球的SnO2敏感层； 6将硅片在一定超声功率下超声处理去除SiO2微球，得到SnO2多孔薄膜； 7在硅片正面上，通过匀胶光刻得到与步骤3相同的图案，并蒸镀一定厚度的贵金属Au； 8剥离硅片上的光刻胶，热处理，贵金属Au形成团聚粒子； 9在硅片正面通过匀胶光刻得到敏感电极及引线盘、加热电极及引线盘的图形； 10在电极图案上蒸镀电极材料Cr和Au，剥离后得到电极层； 11在硅片背面的SiO2-Si3N4双层复合薄膜上利用匀胶光刻工艺，得到背面凹槽窗口图案； 12以光刻胶做掩蔽，利用深干法刻蚀工艺去除裸露的SiO2-Si3N4双层复合薄膜，剥离后做好正面保护并利用背面凹槽窗口进行湿法腐蚀，得到带有绝热槽的传感器。

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