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龙图腾网获悉珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利去胶装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116682761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310712418.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权去胶装置是由丁雪苗;赵公魄;赵芝强设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本去胶装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种去胶装置，包括去胶工作台的内部形成有去胶工作腔，去胶工作腔内用于容置待去胶的芯片；控制器；去胶执行设备装设在去胶工作台上并能够向去胶工作腔内输出去胶光束，去胶执行设备与控制器电性连接；测厚发射设备装设在去胶工作台上，测厚发射设备用于向芯片发生测厚光线；以及测厚接收设备装设在去胶工作台上，测厚接收设备用于接收由芯片反射而来的测厚光线，测厚发射设备和测厚接收设备分别与控制器电性连接。本方案的去胶装置工作全程无需人力干预，能有效提升去胶作业效率和芯片厚度测量效率，且可保证测厚精准度，保证芯片安全的同时使光刻胶去除干净彻底，避免对芯片后续工序流程的加工质量造成影响。

本发明授权去胶装置在权利要求书中公布了：1.一种去胶装置，其特征在于，包括：去胶工作台，所述去胶工作台的内部形成有去胶工作腔，所述去胶工作腔内用于容置待去胶的芯片；控制器；去胶执行设备，所述去胶执行设备装设在所述去胶工作台上并能够向所述去胶工作腔内输出去胶光束，所述去胶执行设备与所述控制器电性连接；测厚发射设备，所述测厚发射设备装设在所述去胶工作台上，所述测厚发射设备用于向所述芯片发射测厚光线；以及，测厚接收设备，所述测厚接收设备装设在所述去胶工作台上，所述测厚接收设备用于接收由所述芯片反射而来的所述测厚光线，所述测厚发射设备和所述测厚接收设备分别与所述控制器电性连接； 所述测厚发射设备包括测厚光线发射器，所述测厚接收设备包括测厚光线接收器，所述测厚光线发射器和所述测厚光线接收器分别设置于所述去胶执行设备的相对两侧，且所述测厚光线发射器和所述测厚光线接收器均与所述去胶工作台的台面倾斜设置； 所述测厚发射设备还包括第一真空隔断阀，所述第一真空隔断阀装设在所述测厚光线发射器上； 所述测厚接收设备还包括第二真空隔断阀，所述第二真空隔断阀装设在所述测厚光线接收器上。

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