厦门士兰明镓化合物半导体有限公司李森林获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223125235U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322151082.7，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型发光二极管是由李森林;毕京锋;高默然;董雪振;丘金金设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种发光二极管，包括：衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流扩展层、欧姆接触层、扩展电极和第一电极，其中，第一半导体层、发光层和第二半导体层由下至上依次堆叠于衬底上，电流扩展层位于第二半导体层上；欧姆接触层覆盖部分电流扩展层并暴露出剩余部分电流扩展层，欧姆接触层中形成有至少一个贯穿欧姆接触层的凹槽；扩展电极包括连接的第一扩展电极和第二扩展电极，第一扩展电极位于欧姆接触层上，第二扩展电极位于凹槽中，且第二扩展电极呈拱形以暴露出凹槽的部分底部；第一电极位于衬底远离第一半导体层的表面。本实用新型提高了发光二极管的发光强度。
本实用新型发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 第一半导体层、发光层和第二半导体层，由下至上依次堆叠于所述衬底上； 电流扩展层，位于所述第二半导体层上； 欧姆接触层，覆盖部分所述电流扩展层并暴露出剩余部分所述电流扩展层，所述欧姆接触层中形成有至少一个贯穿所述欧姆接触层的凹槽； 扩展电极，所述扩展电极包括连接的第一扩展电极和第二扩展电极，所述第一扩展电极位于所述欧姆接触层上，所述第二扩展电极位于所述凹槽中，所述第二扩展电极与所述凹槽底部的电流扩展层接触以及与所述凹槽侧壁的欧姆接触层连接，且所述第二扩展电极呈拱形，拱形下方悬空以暴露出所述第二扩展电极下方的电流扩展层的部分表面； 第一电极，位于所述衬底远离所述第一半导体层的表面； 第二电极，位于所述电流扩展层上且与所述扩展电极连接，且所述第二扩展电极与所述电流扩展层的接触面积之和小于或等于所述第二电极与所述电流扩展层的接触面积。
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