安世半导体科技(上海)有限公司;安世有限公司洛芙迪·哈希特阿巴·姆文恩获国家专利权
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龙图腾网获悉安世半导体科技(上海)有限公司;安世有限公司申请的专利基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功率开关器件及相应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117040516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311085356.5，技术领域涉及：H03K17/74；该发明授权基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功率开关器件及相应方法是由洛芙迪·哈希特阿巴·姆文恩设计研发完成，并于2023-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功率开关器件及相应方法在说明书摘要公布了：一种用于基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器，所述电压栅极驱动器包括：电压发生器电路，其被布置用于接收驱动电压，所述电压发生器电路包括与齐纳二极管串联连接的电容器，其中，所述齐纳二极管的阴极被布置成连接到所述基于半导体的晶体管的栅极；偏置电流电路，其并联连接在所述电容器上，其中所述偏置电流电路包括开关，并且被布置为基于所述开关的状态，向所述齐纳二极管的所述阴极提供偏置电流，其中，所述偏置电流电路被布置为当所述开关处于闭合状态时，向所述齐纳二极管的所述阴极提供所述偏置电流，并且被布置为当所述开关处于断开状态时，防止向所述齐纳二极管的所述阴极提供所述偏置电流。
本发明授权基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功率开关器件及相应方法在权利要求书中公布了：1.一种用于基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器，所述电压栅极驱动器包括： 电压发生器电路，所述电压发生器电路包括与齐纳二极管串联连接的电容器，其中，所述齐纳二极管的阴极被布置成连接到所述基于半导体的晶体管的栅极和所述电容器，并且所述电容器的未与所述齐纳二极管连接的一端被布置用于接收驱动电压； 偏置电流电路，其并联连接在所述电容器上，其中所述偏置电流电路包括开关，所述开关是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，并且所述偏置电流电路被布置为基于所述开关的状态，向所述齐纳二极管的所述阴极提供偏置电流，其中，所述偏置电流电路被布置为当所述开关处于闭合状态时，向所述齐纳二极管的所述阴极提供所述偏置电流，并且被布置为当所述开关处于断开状态时，防止向所述齐纳二极管的所述阴极提供所述偏置电流，并且其中所述开关的栅极被布置为接收所述驱动电压。
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