北京工业大学籍晓亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117004865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311208845.5，技术领域涉及：C22C30/04；该发明授权一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用是由籍晓亮;于航;王雪篪;侯宁;杨子辰;王乙舒;郭福设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用，涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金，按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％，细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料，包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例，并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法，使In完全与Bi反应，抑制了脆性Bi相析出，组织均匀细小，熔点低，提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能，减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。
本发明授权一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电子封装用细晶化合金，其特征在于，所述细晶化SnBiIn合金按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％； 所述电子封装用细晶化SnBiIn合金的制备步骤包括：采用真空感应熔炼得到SnBiIn合金铸锭；对所述SnBiIn合金铸锭进行球磨，得到所述电子封装用细晶化SnBiIn合金； 所述真空感应熔炼的真空度为2.5×10-3～5×10-3Pa，功率为0.5～1KJ，时间为20～50s；所述球磨的球料比为15～30:1，球磨的转速为100～250rmin； 所述电子封装用细晶化SnBiIn合金的粒径≤10μm； 所述电子封装用细晶化SnBiIn合金为SnIn固溶体和InBi相混合的共晶结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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