湖北九峰山实验室张汇文获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种MEMS加速计器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117723779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311474919.X,技术领域涉及:G01P15/08;该发明授权一种MEMS加速计器件结构及其制备方法是由张汇文;徐洋;朱莉莉设计研发完成,并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS加速计器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种MEMS加速计器件结构及其制备方法,属于MEMS加速计技术领域。该MEMS加速计器件结构包括信号互联晶圆、器件层和盖板;器件层与盖板之间形成有至少一个第一空腔,信号互联晶圆与器件层之间形成有至少一个第二空腔;盖板上设有至少一个第一通孔,或和信号互联晶圆上设有至少一个第二通孔;该器件结构还包括用于密封第一通孔的第一封孔层或和用于密封第二通孔的第二封孔层。该器件结构的制备方法中将镀疏水材料的步骤移到部件结合步骤之后,既不影响器件密封性能,又避免疏水材料受温度的影响,并保证器件结构内部所有的表面均能镀疏水材料,达到更好的防粘合效果。
本发明授权一种MEMS加速计器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种MEMS加速计器件结构,其特征在于,由下至上包括信号互联晶圆、器件层和盖板;所述器件层与所述盖板之间形成有至少一个第一空腔,所述信号互联晶圆与所述器件层之间形成有至少一个第二空腔;所述盖板上设置有至少一个第一通孔,或和所述信号互联晶圆上设置有至少一个第二通孔;所述盖板远离所述器件层的一侧表面上设置有至少一层第一封孔层用于密封所述第一通孔;或和所述信号互联晶圆远离所述器件层的一侧表面上设置有至少一层第二封孔层用于密封所述第二通孔;所述MEMS加速计器件结构还包括经由所述第一通孔或和所述第二通孔形成的疏水层,所述疏水层位于每个所述第一空腔的内壁、每个所述第二空腔的内壁,以及每个所述第一通孔的内壁或和每个所述第二通孔的内壁。
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