俄美达(武汉)有限公司章庆华获国家专利权
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龙图腾网获悉俄美达(武汉)有限公司申请的专利一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117604533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311600337.1，技术领域涉及：C23G1/00；该发明授权一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法是由章庆华;吴明洋设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法，属于溅射镀膜技术领域。该复合清洗剂按照重量百分比计包括：改性去污剂8.2‑13.5wt％、复合表面活性剂30‑45wt％、聚醚消泡剂0.9‑1.2wt％和异丙醇25‑35wt％，余量为高纯水；在清洗过程中，改性去污剂分子中的氮氧结构可与附着在靶材表面的金属基杂质螯合，其分子中部的多支酯结构可与残留的脂化物具有良好的相容性，端部的多支聚醚亲水链形成表面亲水包覆改性，提高杂质的浸润性，易于被清洗脱除，在实际测试中表面出优异的清洗效率及清洁程度。
本发明授权一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体靶材加工用复合清洗剂，其特征在于，按照重量百分比计包括：改性去污剂8.2-13.5wt%、复合表面活性剂30-45wt%、聚醚消泡剂0.9-1.2wt%和异丙醇25-35wt%，余量为高纯水； 所述改性去污剂由以下方法制备： 步骤A1：将亚氨基二乙酸二乙酯和无水四氢呋喃混溶，加入非金属碱混合，预升温至35-40℃，搅拌并缓慢加入二氯乙基醚，之后继续升温至65-70℃回流，控制总加入反应时间为3-4h，反应结束过滤并对滤液旋蒸脱除四氢呋喃，得到中间化合物； 步骤A2：将中间化合物、聚乙二醇单甲醚和二甲基亚砜混溶，升温至90-100℃，超声震荡并间断加入有机碱催化剂，控制总加入反应时间为6-8h，反应结束减压旋蒸脱除二甲基亚砜，得到改性去污剂； 聚乙二醇单甲醚的数均分子量为200-350。
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