西安理工大学杨变获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311672201.1，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法是由杨变;孙少东;吕洁丽;崔杰设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其结构式为Sr0.5Ba0.47Gd0.02Nb1.5M0.5O6，M为Ta13Sb13Hf13、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的一种。本发明还公开了高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，称取前驱体原料，球磨，干燥，将得到的混合物预烧，将预烧粉进行造粒，过筛，压片，排胶，烧结，即可。本发明的高熵铁电储能陶瓷材料在550kVcm外加电场作用下不被击穿，具有较高的储能密度和储能效率，满足先进脉冲功率电容器的需求。
本发明授权非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其特征在于，其结构式为Sr0.5Ba0.47Gd0.02Nb1.5M0.5O6，M为Ta13Sb13Hf13、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的任意一种。
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