湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118016688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410050388.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法是由袁俊;陈伟;成志杰;郭飞;王宽;吴阳阳;徐少东;朱厉阳;彭若诗;李明哲设计研发完成，并于2024-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法。该MOSFET器件元胞区域的栅极沟槽底部以及终端区均制作有掩蔽区，所述掩蔽区位于外延层中且其内部制作有电荷存储岛，所述电荷存储岛与掩蔽区的掺杂相反。本发明通过在元胞区域的栅极沟槽底部形成掩蔽区，并在掩蔽区内制作电荷存储岛，掩蔽区不需要接地，栅极沟槽下方构造的掩蔽区，可以有效降低槽角处的电场，内部的电荷存储岛在动态开关时会协助掩蔽区耗尽后的恢复，从而避免了掩蔽区在正向恢复过程中由于电荷积累和恢复弛豫而失去底部电场屏蔽效果，也避免了掩蔽区电压浮动带来的动态特性退化；同时在终端区域制作掩蔽区和电荷存储岛，可以优化终端区域的电场分布，提高器件的终端效率。
本发明授权一种宽禁带半导体MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体MOSFET器件结构，其特征在于，器件元胞区域的栅极沟槽底部以及终端区均制作有掩蔽区，所述掩蔽区位于外延层中且其内部制作有电荷存储岛，所述电荷存储岛与掩蔽区的掺杂相反； 当所述终端区为JTE终端时，所述JTE终端内部制作有电荷存储岛； 当终端区是场限环结构时，仅在场限环下方的外延层区域内制作有掩蔽区及电荷存储岛； 同一所述掩蔽区内制作有N个电荷存储岛，其中N≥1； 所述掩蔽区沿栅极长度方向间隔分布，所述电荷存储岛沿栅极长度方向间隔分布且位于掩蔽区内与外延层接触或不接触。
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