西安交通大学单智伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种硅热还原制备低锌粗镁的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117904454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410072791.2,技术领域涉及:C22B26/22;该发明授权一种硅热还原制备低锌粗镁的方法是由单智伟;杨唯一;郑芮;王鹏飞设计研发完成,并于2024-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅热还原制备低锌粗镁的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及原镁冶炼技术领域,尤其涉及一种硅热还原制备低锌粗镁的方法。本发明提出的方法是指利用硅热法炼镁中杂质锌蒸气和镁蒸气产生温度差异较大的特点,使得杂质锌优先产生优先逃逸,进而与镁分离。具体包括以下步骤:在硅热法炼镁的还原环节中,将硅热法炼镁原料先加热至第一温度区间,即锌蒸气产生而镁蒸气未产生的温度区间,对其真空保温,使杂质锌优先产生并逃逸后,再升温至第二温度区间,使镁蒸气产生,随后冷凝收得低锌镁。基于本发明提供的方法制备得到的硅热法粗镁中,杂质锌含量降幅可达65.2%,该方法从硅热法炼镁源头缓解了长久以来镁锌难以分离的问题。
本发明授权一种硅热还原制备低锌粗镁的方法在权利要求书中公布了:1.一种硅热还原制备低锌粗镁的方法,其特征在于,在真空度小于20Pa的条件下,控制第一温度区间对炼镁原料进行除锌处理,使锌蒸气产生并逸出;升高体系温度至第二温度区间,进行硅热还原,使镁蒸气产生,冷凝制得所述低锌粗镁; 所述第一温度区间为550~950℃; 所述第二温度区间为1050~1300℃; 制备过程在一组设备中或在两组设备中进行; 当在一组设备中制备时,所述设备包括蒸气产生段、第一冷凝区以及第二冷凝区;制备时,控制设备真空度为20Pa以下,将所述炼镁原料置于蒸气产生段,控制蒸气产生段的温度为第一温度区间,使产生的锌蒸气在第一冷凝区冷凝收集,然后,控制蒸气产生段的温度为第二温度区间,使产生的镁蒸气在第二冷凝区冷凝收集; 当在两组设备中制备时,所述两组设备均包括蒸发段与冷凝段;制备时,控制设备真空度为20Pa以下,并控制一组设备蒸发段的温度为第一温度区间实现锌蒸气的产生,真空保温,在所述设备的冷凝段实现锌蒸气的收集;再将除锌后的原料放入另外一组设备中,控制另外一组设备蒸发段的温度为第二温度区间实现镁蒸气产生,真空保温,在所述设备的冷凝段实现镁蒸气的收集。
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