中国科学院半导体研究所张逸韵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氧化镓晶体及其异质外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118374877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410465054.9，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权氧化镓晶体及其异质外延方法是由张逸韵;姚然;杨华;伊晓燕;王军喜设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓晶体及其异质外延方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓晶体及其异质外延方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：制备具有特定双向偏角的蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体；在氧化镓晶体上沉积功能性材料，得到目标器件。本发明提供的氧化镓晶体异质外延方法，引入三维扭转的定向设计制备具体特定双向偏角的蓝宝石衬底，蓝宝石衬底中不同偏角对应的原子间距和原子台阶高度不同，从而有效限制β相氧化镓在面内生长的各向对称性。在具有特定双向偏角的蓝宝石衬底上进行氧化镓晶体生长，可以有效提高β相氧化镓晶体生长取向的一致性，从而提升氧化镓晶体质量。
本发明授权氧化镓晶体及其异质外延方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓晶体异质外延方法，其特征在于，包括： 制备具有C面偏向a面和C面偏向m面的双向偏角的蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体； 在所述氧化镓晶体上沉积功能性材料，得到目标器件； 所述制备具有C面偏向a面和C面偏向m面的双向偏角的蓝宝石衬底，包括：确定所述蓝宝石衬底的两个非极性面位置以及所述两个非极性面位置之间的中间方向；沿所述蓝宝石衬底的两个非极性面的中间方向进行抛光；其中，所述蓝宝石衬底的抛光面与C面的夹角范围为0.1°～30°，所述抛光后的蓝宝石衬底同时具有C面偏向a面和C面偏向m面的双向偏角，其中，不同偏角对应的原子间距和原子台阶高度不同。
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