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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410621559.X，技术领域涉及：C30B29/52；该发明授权一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用是由邓婷婷;李泽;仇鹏飞;史迅设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。该材料的化学式为CuInxSey，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。制备方法包括：1）将Cu、In和Se真空密封升温熔融并保温，冷却，得到多晶棒；2）将多晶棒竖直置于双温区立式单晶炉中，温度由部至顶部递增，冷却，形成单晶铸锭；3）解理、切割，获得铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料。本发明发现符合上述条件的材料，室温塑性弯曲应变可达5‑50%，在厚度为100μm‑100mm内进行弯曲、扭转、折叠、压缩变形而不断裂，并且可保持室温电导率在100‑8000Sm‑1，且电导率随温度升高而增大。

本发明授权一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料的制备方法，其特征在于包括： 1）将Cu、In和Se的单质真空密封于石英管内，升温至熔融温度并保温，冷却，得到多晶棒； 2）将含多晶棒的石英管竖直置于双温区立式单晶炉中，炉腔内温度由石英管的底部至顶部递增且温差为5-100℃；控制炉腔升温使石英管底部区域温度高于熔融温度以上20-100℃，随后控制炉腔降温使石英管顶部区域温度低于熔融温度以下20-100℃，冷却至室温，形成单晶铸锭； 步骤1）和步骤2）中，升温速率为20-200℃h；冷却速率为10-100℃h；步骤2）中，降温速率为0.5-10℃h； 3）将单晶铸锭解理、切割，获得具有层状范德华单晶结构的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，化学式为CuInxSey，x=5，y=8；或x=7，y=11；或x=8，y=12.5；材料厚100μm-100mm，室温塑性弯曲应变为5-50%；室温电导率为100-8000Sm-1，且电导率随温度升高而增大。

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