武汉理工大学三亚科教创新园耿浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学三亚科教创新园申请的专利一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118599265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410807939.2，技术领域涉及：C08L63/00；该发明授权一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法是由耿浩然;张扬设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法，属于新材料技术领域。本发明的环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼材料中包含95wt％的环氧树脂和5wt％的碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂；所述碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂的制备方法包括以下步骤：对三聚氰胺泡沫进行碳化处理得到碳化三聚氰胺泡沫，然后与钼源硫源前驱体溶液混合，反应，得到所述碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂。在碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼中，具有三维网络结构的碳化三聚氰胺泡沫为声子和电子传输提供了理想通路。1T2H‑二硫化钼原位生长在碳化三聚氰胺泡沫表面，导致电磁波的直接反射减少并有效改善了不良阻抗。
本发明授权一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼材料，其特征在于，所述材料中包含95wt％的环氧树脂和5wt％的碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂； 所述碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂的制备方法包括以下步骤：对三聚氰胺泡沫进行碳化处理得到碳化三聚氰胺泡沫，然后与钼源硫源前驱体溶液混合，反应，得到所述碳化三聚氰胺泡沫二硫化钼吸波剂； 所述钼源硫源前驱体溶液中，钼源为钼酸钠，硫源为L-半胱氨酸； 所述钼源硫源前驱体溶液中硫源和钼源的质量比＞1.1，所述硫源在钼源硫源前驱体溶液中的浓度为2.1-4.3mgmL。
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