北京绿能芯创电子科技有限公司廖奇泊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京绿能芯创电子科技有限公司申请的专利沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223125207U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421670845.7，技术领域涉及：H10D18/65；该实用新型沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管是由廖奇泊;安道之;郭亮;刘新悦设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管，引入类似于沟槽IGBT的结构，会改变由集电极经N+衬底射入的自由载流子直接经过N‑漂移区到发射极的路径，而是让自由载流子经由栅极路径。在这个过程中，少数载流子会被快速地去除，使得开关损耗降低，增强了N‑漂移区的电导调制效应。其中，当沟槽型SiCMCT工作在阻断状态时，栅源电压会变成零电位或负电位，由P型基区和N‑漂移区所形成的PN结以及栅电极和N‑型漂移区之间组成的MOS结构，这两部分来承担源漏间的高压，具有更高的耐压能力；当器件工作在正向导通状态时，P‑基区可以抑制栅氧化层中的高电场，实现较强的电导调制效应，降低正向导通电压。
本实用新型沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于，包括：集电极、N++衬底、N-集电区、P-基区、N-发射区、P+接触源极区、N+接触源极区、源极S、栅极G、栅极绝缘层和栅介质； 所述集电极上方设有N++衬底；所述N++衬底上方设有N-集电区；在N-集电区左侧从下至上依序包含P-基区和P-基区上方的N-发射区，所述P+接触源极区与N+接触源极区设置于N-发射区且P+接触源极区位于N+接触源极区两侧；所述源极S在该P+接触源极区与N+接触源极区上方；在N-集电区右侧设置栅极G，栅极G设置于N++衬底上方相应的沟槽中并分别在沟槽侧壁形成栅极绝缘层，填充形成栅介质；所述沟槽由上至下分别由P+接触源极区、N-发射区、P-基区垂直延伸至N-集电区；所述沟槽正面有源极S和栅极G两个电极，源极S和栅极G两个电极的金属之间淀积绝缘层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京绿能芯创电子科技有限公司，其通讯地址为：102206 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号