零壹半导体技术(常州)有限公司钟滔获国家专利权
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龙图腾网获悉零壹半导体技术(常州)有限公司申请的专利一种高磁场芯片测试用保护箱获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223125199U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421979040.0，技术领域涉及：H05K9/00；该实用新型一种高磁场芯片测试用保护箱是由钟滔;马敏;杨阳;孙志武设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高磁场芯片测试用保护箱在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种高磁场芯片测试用保护箱，用于安装芯片测试载板，高磁场芯片测试用保护箱包括屏蔽箱体和端盖，屏蔽箱体内设有容置腔，容置腔至少一端开口，端盖可拆卸的固定连接在容置腔的开口一侧，端盖上对应容置腔的开口设有通槽，容置槽的墙壁上开设有卡槽，通槽的槽壁上对应卡槽开设有插槽，芯片测试载板上具有电子元器件的一端穿过插槽后插装在卡槽内，芯片测试载板上具有待测芯片的一端位于屏蔽箱体的外部。本实用新型的高磁场芯片测试用保护箱，只需将芯片测试载板上带有电子元器件配合插入至屏蔽箱体的卡槽内即可实现对电子元器件的磁屏蔽作用，操作简单，便于安装，大大提高了测试效率。
本实用新型一种高磁场芯片测试用保护箱在权利要求书中公布了：1.一种高磁场芯片测试用保护箱，用于安装芯片测试载板，其特征在于：所述高磁场芯片测试用保护箱包括屏蔽箱体和端盖，所述屏蔽箱体内设有容置腔，所述容置腔至少一端开口，所述端盖可拆卸的固定连接在所述容置腔的开口一侧，所述端盖上对应所述容置腔的开口设有通槽，所述容置腔的墙壁上开设有卡槽，所述通槽的槽壁上对应所述卡槽开设有插槽，所述芯片测试载板上具有电子元器件的一端穿过所述插槽后插装在所述卡槽内，所述芯片测试载板上具有待测芯片的一端位于所述屏蔽箱体的外部。
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