拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司阚金卓获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利加热盘结构和半导体器件的加工设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223118551U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422010918.6，技术领域涉及：C23C16/46；该实用新型加热盘结构和半导体器件的加工设备是由阚金卓;毕孝楠;张亚新设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热盘结构和半导体器件的加工设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种加热盘结构和半导体器件的加工设备。该加热盘结构包括：盘体，其内部包括加热丝，以加热其上承托的晶圆；以及双层气道，位于盘体内，其中，第一气道的进气口和出气口位于盘体的中心区域，第二气道与第一气道连通并位于第一气道的上层，环绕盘体的边缘区域，以供加热后的吹扫气体从盘体的中心区域进入，沿着第一气道和第二气道，环绕盘体的边缘区域，并从盘体的中心区域输出，以使晶圆表面的温度均匀，获得均匀形貌的同心沉积图案。本实用新型能够避免加热盘加热过程中出现盘体中心低温的问题，提升盘体加热温度的均匀性，并且还能避免晶圆表面出现无规则的异形工艺形貌的沉积图案，便于沉积图案的改善调节。
本实用新型加热盘结构和半导体器件的加工设备在权利要求书中公布了：1.一种加热盘结构，其特征在于，包括： 盘体，其内部包括加热丝，以加热其上承托的晶圆；以及 双层气道，位于所述盘体内，其中，第一气道的进气口和出气口位于所述盘体的中心区域，第二气道与所述第一气道连通并位于所述第一气道的上层，环绕所述盘体的边缘区域，以供加热后的吹扫气体从所述盘体的中心区域进入，沿着所述第一气道和所述第二气道，环绕所述盘体的边缘区域，并从所述盘体的中心区域输出，以使所述晶圆表面的温度均匀，获得均匀形貌的同心沉积图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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