佛山仙湖实验室江炀获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山仙湖实验室申请的专利一种共蒸发法制备大尺寸甲脒铅碘钙钛矿薄膜的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119136624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411132591.8,技术领域涉及:H10K71/16;该发明授权一种共蒸发法制备大尺寸甲脒铅碘钙钛矿薄膜的方法是由江炀;李蔚;马赛厄斯·乌勒·罗斯曼;貊艳平;徐月宇;程一兵设计研发完成,并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种共蒸发法制备大尺寸甲脒铅碘钙钛矿薄膜的方法在说明书摘要公布了:本发明属于钙钛矿材料技术领域,公开了一种共蒸发法制备大尺寸甲脒铅碘钙钛矿薄膜的方法。该制备方法包括以下步骤:在基底上共蒸发PbI2和FAI,形成含α‑FAPbI3和δ‑FAPbI3混合相的钙钛矿薄膜;然后进行真空处理,形成纯δ‑FAPbI3相钙钛矿薄膜;再进行退火处理,形成纯α‑FAPbI3相的甲脒铅碘钙钛矿薄膜。本发明采用真空环境处理晶型转变,改善了钙钛矿晶粒尺寸问题,使其由不稳定的α‑FAPbI3和δ‑FAPbI3混合相转变成稳定的纯δ‑FAPbI3相;通过退火处理促使尺寸较大的晶体由δ‑FAPbI3转变成α‑FAPbI3,有利于提高传输与收集载流子效率,提升电池的能量转换效率的效果。
本发明授权一种共蒸发法制备大尺寸甲脒铅碘钙钛矿薄膜的方法在权利要求书中公布了:1.一种甲脒铅碘钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1在基底上共蒸发PbI2和FAI,形成含α-FAPbI3和δ-FAPbI3混合相的钙钛矿薄膜; 2将所述含α-FAPbI3和δ-FAPbI3混合相的钙钛矿薄膜进行真空处理,形成纯δ-FAPbI3相钙钛矿薄膜;所述真空处理的气压低于1×10-3Torr,所述真空处理的时间为10-14小时; 3对所述纯δ-FAPbI3相钙钛矿薄膜进行退火处理,形成纯α-FAPbI3相的所述甲脒铅碘钙钛矿薄膜。
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