昆明理工大学杨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119038595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411225588.0，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法是由杨斌;李伟;邓勇;陈秀敏;杨佳;郁青春;王飞;田阳;杜巧圆设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法，涉及资源回收利用技术领域，包括：取氧化铟锡废靶原料，向所述氧化铟锡废靶原料中加入铟后，于真空条件下进行加热并保温；待保温结束后，铟的低价氧化物挥发进入挥发物中，获得氧化铟；氧化锡残留在冷凝物中，获得氧化锡。本发明依据氧化铟在铟熔体中加热下可生成易挥发的低价氧化物（In2O），生成的低价氧化物可挥发至冷凝区域冷凝，从而实现氧化铟和氧化锡的分离，实现了氧化铟锡废靶材料的资源回收利用。
本发明授权一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法在权利要求书中公布了：1.一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法，其特征在于：包括如下步骤： 1取氧化铟锡废靶原料，向所述氧化铟锡废靶原料中加入铟后，于真空条件下进行加热并保温； 2待保温结束后，铟的低价氧化物挥发进入挥发物中，获得氧化铟；氧化锡残留在冷凝物中，获得氧化锡； 步骤1中所述加热的温度为1050～1250K。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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