电子科技大学林先航获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利半导体器件制备装置和半导体器件制备系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223123874U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422210766.4，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型半导体器件制备装置和半导体器件制备系统是由林先航;刘恒钰;赵怡程;李恒;邓灿设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制备装置和半导体器件制备系统在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体制备技术领域，具体提供一种半导体器件制备装置和半导体器件制备系统，旨在解决半导体器件制备装置无法提供稳定有效的氮气流，进而难以实现气萃成膜的问题。为此，本实用新型的半导体器件制备装置包括基板固定组件和气吹组件，基板固定组件包括基板托盘，基板固定组件通过基板托盘固定基板，气吹组件包括气吹构件，气吹构件上设置有至少一个气吹孔，气吹孔的出风段的孔径沿气流方向逐渐增大，气吹孔的轴线方向垂直于基板托盘的支撑面，以使气吹组件能够通过气吹孔向基板的成膜面输送垂直气流。基于此，本实用新型能够保证输出均匀稳定的气流，进而有效保证气萃成膜的效果。
本实用新型半导体器件制备装置和半导体器件制备系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备装置，其特征在于，所述半导体器件制备装置包括基板固定组件和气吹组件， 所述基板固定组件包括基板托盘，所述基板固定组件通过所述基板托盘固定基板， 所述气吹组件包括气吹构件，所述气吹构件上设置有至少一个气吹孔，所述气吹孔的出风段的孔径沿气流方向逐渐增大，所述气吹孔的轴线方向垂直于所述基板托盘的支撑面，以使所述气吹组件能够通过所述气吹孔向所述基板的成膜面输送垂直气流。
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