安建科技有限公司伍震威获国家专利权
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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223125208U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422233760.9，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种功率半导体器件是由伍震威;单建安设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，本实用新型通过在栅极金属层下方P型盖层上方的两侧边缘位置设置分隔层，分隔层由带能隙大于P型盖层的能带隙的材料或其组合组成，分隔层的临界电场大于P型盖层的临界电场。当栅极正向受压时,栅极金属层下方分隔层表面的角落位置会形成尖峰电场，由于分隔层的临界电场大于P型盖层的临界电场，提升了器件的栅极击穿电压及可靠性。
本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，所述的器件包括有位于底部的衬底层、位于衬底层上方的缓冲层、位于缓冲层上方的沟道层、位于沟道层上方的势垒层、位于势垒层上方的P型盖层、位于P型盖层及分隔层上方的栅极金属层、位于栅极金属层一侧的源极金属层和另一侧的漏极金属层，所述的沟道层与势垒层形成异质结并且在位于异质结下方的沟道层的表面形成二维电子气，其特征在于，所述的P型盖层用于在器件关断时耗尽了位于其下方的沟道层的表面的二维电子气以形成增强型器件，所述的P型盖层与位于其上方的栅极金属层形成肖特基接触，所述的P型盖层上方两侧边缘位置设有能带隙大于所述P型盖层的能带隙、临界电场大于位于所述P型盖层的临界电场的分隔层。
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