通威微电子有限公司李大龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510578841.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种MOSFET器件及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该MOSFET器件包括N型衬底；位于衬底一侧的N型外延层；位于N型外延层内的P型阱区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区以及N型掺杂区；其中，P型阱区、第一P型掺杂区以及第二P型掺杂区依次设置并接触，N型掺杂区位于第一P型掺杂区之上，且N型掺杂区的两侧分别与P型阱区、第二P型掺杂区接触；P型阱区、第二P型掺杂区以及第一P型掺杂区的掺杂浓度依次增大，且第一P型掺杂区的深度大于P型阱区的深度；位于P型阱区与N型掺杂区一侧的栅极区。本申请具有降低器件短路风险，提高器件的热可靠性、短路可靠性及鲁棒性的优点。
本发明授权一种MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括： N型衬底； 位于所述衬底一侧的N型外延层； 位于所述N型外延层内的P型阱区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区以及N型掺杂区；其中，所述P型阱区、所述第一P型掺杂区以及所述第二P型掺杂区依次设置并接触，所述N型掺杂区位于所述第一P型掺杂区之上，且所述N型掺杂区的两侧分别与所述P型阱区、所述第二P型掺杂区接触；所述P型阱区、所述第二P型掺杂区以及所述第一P型掺杂区的掺杂浓度依次增大，且所述第一P型掺杂区的深度大于所述P型阱区的深度； 位于所述P型阱区与所述N型掺杂区一侧的栅极区； 位于所述第二P型掺杂区与所述N型掺杂区一侧的欧姆接触层； 位于所述栅极区与所述欧姆接触层一侧的第一金属电极； 位于所述衬底背面的第二金属电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威微电子有限公司，其通讯地址为：610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号