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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510585582.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构是由席鑫;苏康;郭芬;袁欣欣;王长红;郭建文;朱科建设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构在说明书摘要公布了：本公开涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构。本公开提供了一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构，其中，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；将第一离子和第二离子周期性交替注入半导体层中，以在半导体层内形成多个绝缘隔离区，多个绝缘隔离区将半导体层分割成多个LED单元结构；其中，第一离子为正离子和负离子中的其中一种，第二离子为正离子和负离子中的另一种；在绝缘隔离区内形成光子晶体结构，以抑制光的横向扩散。本公开通过对半导体层进行正离子和负离子的周期性交替注入，以在半导体层内形成多个绝缘隔离区，正负离子交替注入使得载流子俘获能力增强，从而进一步提高绝缘隔离区的绝缘效果。

本发明授权一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成半导体层，所述半导体层包括从下至上依次层叠的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层； 将第一离子和第二离子周期性交替注入所述半导体层中，以在所述半导体层内形成多个绝缘隔离区，所述多个绝缘隔离区将所述半导体层分割成多个LED单元结构；所述绝缘隔离区贯穿所述第二掺杂半导体层和所述有源层，并位于所述第一掺杂半导体层内；其中，所述第一离子为正离子和负离子中的其中一种，所述第二离子为正离子和负离子中的另一种； 在所述绝缘隔离区内形成光子晶体结构，以抑制光的横向扩散； 所述将第一离子和第二离子周期性交替注入所述半导体层中，包括： 在所述半导体层上形成掩膜层； 对所述掩膜层进行图案化处理，以在所述掩膜层上形成多个注入区图案，所述注入区图案暴露部分所述半导体层；其中，所述注入区图案为多边锯齿形状； 对暴露的部分所述半导体层进行所述第一离子和所述第二离子的周期性交替注入，以形成多个绝缘隔离区。

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