江苏鲁汶仪器有限公司李佳鹤获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鲁汶仪器有限公司申请的专利一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011318813.7，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法是由李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法，包括步骤1、采用离子束刻蚀和或反应离子刻蚀进行刻蚀量为t1的主刻步：离子束的方向角为10~60°，反应离子刻蚀的偏压为400‑1000V；步骤2、刻蚀量为t2的清洗步：采用的反应离子刻蚀的偏压为50V‑400V，脉冲占空比为5%‑50%，t1：t2≥0.5，清洗步完成后，在底电极或底介质层上的刻蚀形貌为方形沟槽；步骤3、原位保护：镀膜进行原位保护。本发明将RIE和IBE刻蚀相结合，通过刻蚀顺序的布设及刻蚀参数的选择，在对小尺寸密集磁隧道结刻蚀效果显著提升的同时，也能适用于非密集磁隧道结的刻蚀。从而解决了密集图形刻蚀时低选择比、低陡直度的问题。进一步，方形刻蚀沟槽，能大幅提高MTJ结的TMR和使用寿命，并消除底部沉积。
本发明授权一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1，磁隧道结主刻步：采用离子束刻蚀和或反应离子刻蚀，对磁隧道结进行刻蚀量为t1的主刻步刻蚀；其中，离子束的方向角为10~60°，反应离子刻蚀的偏压为400-1000V； 步骤2，磁隧道结清洗步：对完成主刻步的磁隧道结，进行刻蚀量为t2的清洗步刻蚀；其中，t1：t2≥0.5；清洗步刻蚀包括反应离子刻蚀，反应离子刻蚀的模式为脉冲模式；反应离子刻蚀的偏压为50V-400V，脉冲占空比为5%-50%；清洗步刻蚀完成后，在底电极或底介质层上的刻蚀形貌为类方形沟槽；当磁隧道结中相邻两单元的中心间距Pitch≤100nm时，类方形沟槽的最终陡直度能达到85°以上。
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