高通股份有限公司杨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010221.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管是由杨斌;杨海宁;李夏设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件200，该半导体器件包括具有高电荷迁移率沟道材料的N型金属氧化物半导体NMOS全环绕栅极GAA晶体管206和P型金属氧化物半导体PMOSGAA晶体管222。半导体器件可以包括衬底202。半导体器件还可以包括在衬底上的NMOSGAA晶体管，其中NMOSGAA晶体管包括第一沟道材料210，214。半导体器件还可以包括在衬底上的PMOSGAA晶体管，其中PMOSGAA晶体管包括第二沟道材料230，234。第一沟道材料可以具有大于硅Si的电子迁移率的电子迁移率，并且第二沟道材料可以具有大于Si的空穴迁移率的空穴迁移率。
本发明授权具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 在所述衬底上的蚀刻停止层； 在所述蚀刻停止层上的隔离层； 在所述蚀刻停止层上的N型金属氧化物半导体NMOS全环绕栅极GAA晶体管，所述NMOSGAA晶体管包括第一沟道材料；以及 在所述隔离层上的P型金属氧化物半导体PMOSGAA晶体管，所述PMOSGAA晶体管包括第二沟道材料， 其中所述第一沟道材料具有大于硅Si的电子迁移率的电子迁移率，并且所述第二沟道材料具有大于Si的空穴迁移率的空穴迁移率。
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