铠侠股份有限公司村上畅介获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110731686.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储装置是由村上畅介;永岛贤史;百百信幸;石川贵之;新屋敷悠介设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够实现读出时间的缩短的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有基板、第一布线、第二布线、第三布线、第四布线以及电荷保持部。所述第一布线在沿着所述基板的表面的第一方向上延伸。所述第二布线在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一布线并列，并在所述第一方向上延伸。所述第三布线与所述第一布线和所述第二布线相接，且包含半导体。所述第四布线位于所述第一布线与所述第二布线之间，在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸，至少在所述第一方向上与所述第三布线并列。所述电荷保持部位于所述第三布线与所述第四布线之间。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其中，具备： 基板； 第一源极线，在沿着所述基板的表面的第一方向上延伸； 第一漏极线，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一源极线并列，并在所述第一方向上延伸； 第一沟道部，与所述第一源极线和所述第一漏极线相接，且包含半导体； 第一栅极布线，位于所述第一源极线与所述第一漏极线之间，在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸，至少在所述第一方向上与所述第一沟道部并列； 第一电荷保持部，位于所述第一沟道部与所述第一栅极布线之间； 第二沟道部，在所述第一方向上位于离开所述第一沟道部的位置，与所述第一源极线和所述第一漏极线相接，且包含半导体； 第二栅极布线，位于所述第一源极线与所述第一漏极线之间，在所述第三方向上延伸，至少在所述第一方向上与所述第二沟道部并列；以及 第二电荷保持部，位于所述第二沟道部与所述第二栅极布线之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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