北京大学潘宇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110768724.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法是由潘宇;徐晓龙;李艳平;叶堉设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜。该方法在薄膜沉积过程中可控、稳定地加入杂质元素，从而生长的掺杂半导体碲化钼薄膜可以稳定地调节掺杂浓度，得到具有不同电学特性二维半导体材料薄膜，解决了二维半导体材料应用于单片集成电路的关键问题。该方法还可以通过光刻和刻蚀图形化预沉积不同掺杂类型的Mo薄膜，之后“一步法”生长出提前设计好的图形化掺杂碲化钼薄膜，节省材料和时间成本，并兼容成熟的半导体工艺技术，有大规模应用的潜力。
本发明授权一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法，包括以下步骤： 1）在基底表面利用磁控溅射设备共蒸沉积一层1-10nm厚的混合有杂质元素的Mo薄膜； 2）根据需求对混合有杂质元素的Mo薄膜进行图形化，得到图形化的掺杂Mo薄膜；具体是：通过光刻和刻蚀的方法图形化掺杂的Mo薄膜，然后通过磁控溅射再沉积一层1-10nm厚的掺杂另一种元素的Mo薄膜，再剥离光刻胶，得到图形化的不同种类掺杂的Mo薄膜； 3）以碲单质为Te源，通过化学气相沉积法处理掺杂Mo薄膜，在基底上生长半导体相的二维碲化钼薄膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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