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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种IGBT器件的制造方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210475742.4，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT器件的制造方法及结构是由曹功勋;郎金荣;刘建华设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT器件的制造方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件的制造方法及结构，所述方法包括：提供衬底，衬底包括有源区、过渡区及终端区，且包括相对的第一主面及第二主面；对过渡区与终端区的第一主面进行第一离子注入形成横跨过渡区与终端区的掺杂终端层，并对终端区的边缘进行第二离子注入形成截止环，随后进行热过程推进处理；对终端区的第一主面进行刻蚀，形成连通掺杂终端层和截止环的沟槽，在沟槽中形成场氧化层；对第一主面进行第二离子普注，形成载流子存储掺杂区，随后进行热过程推进处理；形成正面结构和背面结构。本发明制作有源区中载流子存储掺杂区时可以进行普注，不需要掩膜版，从而节约制造成本，同时避免载流子存储层对IGBT的耐压造成大的影响。

本发明授权一种IGBT器件的制造方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括： 1提供一衬底，所述衬底包括有源区、过渡区及终端区，所述有源区、所述过渡区及所述终端区均包括相对的第一主面及第二主面； 2对所述过渡区与所述终端区的第一主面进行第一离子注入，以形成横跨所述过渡区与所述终端区的掺杂终端层，并对所述终端区的边缘进行第二离子注入，以形成截止环，随后进行热过程推进处理； 3对所述终端区的第一主面进行刻蚀工艺，以在第一主面形成连通所述掺杂终端层和所述截止环的沟槽，并在所述沟槽中形成场氧化层，所述沟槽的刻蚀深度介于0.5μm～1μm之间； 4对所述第一主面进行第二离子普注，以在所述第一主面形成载流子存储掺杂区，随后进行热过程推进处理； 5在所述第一主面进行正面工艺，在所述第二主面进行背面工艺，以分别形成正面结构和背面结构，完成所述IGBT器件的制造； 所述第一离子注入剂量介于1e14cm-2～2e15cm-2之间，注入能量介于60keV～200keV之间；所述第二离子注入剂量介于1e15cm-2～5e15cm-2之间，注入能量介于60keV～200keV之间； 所述步骤4中，所述第二离子普注的注入剂量介于1e12cm-2～2e13cm-2之间，注入能量介于60keV～200keV之间。

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