中国科学院上海微系统与信息技术研究所郑理获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210801932.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法是由郑理;王昊;俞文杰;程新红;俞跃辉设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法，所述检测方法包括：提供待检测晶圆；于所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区，所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔为若干个未刻蚀区；于所述待检测晶圆底面形成底面金属层；于所述待检测晶圆顶面形成图形化的顶面金属层；测量所述待检测晶圆的深能级瞬态电容谱曲线，使用所述深能级瞬态电容谱曲线作出阿伦尼乌斯曲线，得到所述待检测晶圆的深能级缺陷的能级位置及浓度信息。本发明所述大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法能够解决现有测量技术无法准确探测到大尺寸晶圆中深能级的缺陷态，同时也很难检测到缺陷态的浓度和能级位置的问题。
本发明授权一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤： 提供待检测晶圆； 对所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区，所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔划分为若干个未刻蚀区，所述刻蚀区的表面粗糙度大于未刻蚀区的表面粗糙度； 于所述待检测晶圆底面形成底面金属层，其中，位于所述刻蚀区的底面金属层与所述待检测晶圆之间呈欧姆接触，位于所述未刻蚀区的底面金属层与所述待检测晶圆之间呈肖特基接触； 于所述待检测晶圆顶面形成图形化的顶面金属层，其中，所述顶面金属层与所述待检测晶圆之间呈肖特基接触； 测量所述待检测晶圆的深能级瞬态电容谱曲线，利用所述深能级瞬态电容谱曲线作出阿伦尼乌斯曲线，并从中得到所述待检测晶圆的深能级缺陷的能级位置及浓度信息。
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