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华中科技大学戴玲获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115329688B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210835969.5,技术领域涉及:G06F30/28;该发明授权低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法及系统是由戴玲;陈俊杰;孙科;王诗琦;张玉宸设计研发完成,并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法及系统,属于真空开关过程仿真技术领域;针对真空灭弧室建立三维模型,利用磁流体动力学理论对真空电弧等离子体进行仿真模拟,建立了真空电弧等离子体的三维磁流体动力学模型;在对模型中大电流真空电弧参数进行求解过程中,由于离子参数、电磁场参数和电子参数相互依赖,基于各参数之间的依赖程度,先计算离子参数和电磁场参数,再计算电子参数,大大提高了计算的收敛性;与此同时,本发明引入电势和矢量磁位来对电磁场参数进行求解,减少了微分运算,降低了计算的复杂度,计算效率较高。

本发明授权低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种低频电流条件下的大电流真空电弧参数的获取方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、对真空灭弧室的燃弧区域进行三维网格剖分,建立真空电弧等离子体的三维磁流体动力学模型;其中,所述三维磁流体动力学模型包括真空电弧等离子体的流体方程和电磁方程;所述流体方程包括离子质量方程、离子动量方程、离子能量方程以及电子能量方程;所述电磁方程包括电势方程和矢量磁位方程; S2、对所述三维磁流体动力学模型中的大电流真空电弧参数进行初始化;所述大电流真空电弧参数包括:离子数密度、离子温度、离子速度、电子数密度、电子温度、电子速度以及燃弧区域的矢量磁位和电势; S3、基于电势的当前值计算得到电场强度的当前值;基于矢量磁位的当前值计算得到磁场强度的当前值;基于电场强度、磁场强度和电子速度的当前值计算得到电流密度的当前值;基于离子温度的当前值计算得到离子粘性系数的当前值;基于离子温度、电子温度和电子数密度的当前值计算离子传热系数的当前值;将离子数密度、离子温度、离子速度、电流密度、磁场强度、离子粘性系数和离子传热系数的当前值代入所述离子质量方程、所述离子动量方程和所述离子能量方程中进行联立求解,以对离子数密度、离子温度和离子速度进行更新; S4、基于离子数密度的当前值对电子数密度进行更新;基于离子速度及电流密度的当前值对电子速度进行更新; S5、将电子数密度、电子温度、电子速度、磁场强度和电流密度的当前值代入到所述电势方程和所述矢量磁位方程中进行联立求解,得到燃弧区域的电势和矢量磁位的当前值; S6、重复步骤S3-S5进行迭代,直至相邻两次迭代下的大电流真空电弧参数的残差值小于第一预设阈值; S7、基于电子数密度和电子温度的当前值计算电子传热系数的当前值;将电子数密度、电子速度、离子温度、电流密度及电子传热系数的当前值代入所述电子能量方程中进行求解,以对电子温度进行更新; S8、重复步骤S3-S7进行迭代,直至相邻两次迭代下的大电流真空电弧参数的残差值小于第二预设阈值,此时的大电流真空电弧参数即为所求参数值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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