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龙图腾网获悉强华时代(成都)科技有限公司申请的专利一种横向混合载流子控制器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096814.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种横向混合载流子控制器件是由汪志刚;白吉祥;黄柏铭;黄孝兵设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向混合载流子控制器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种混合型载流子控制器件，属于功率半导体技术领域。主要工作单元、PMOS区、载流子分布区、绝缘区以及衬底区；所述主要工作单元和所述PMOS结构分别设置在隔离区两边。本发明解决了现有横向功率器件电流密度较小、导通功耗大、导通压降与关断损耗折衷关系差、实用性差的问题。本发明在常规横向晶闸管器件的基础上，利用掺杂浓度和面积都不相同的两个P型区域，另外在高掺杂浓度的P型区域左侧引入低掺杂的P型区域，形成耗尽型PMOS结构，实现对电子与空穴载流子进行分流控制的目的。

本发明授权一种横向混合载流子控制器件在权利要求书中公布了：1.一种横向混合载流子控制器件，其特征在于，包括主要工作单元、PMOS区、载流子分布区、绝缘区以及衬底区；所述绝缘区设置在衬底区的上方，所述主要工作单元包括第二电极、第三电极、第一绝缘材料、第二电极重掺杂欧姆接触区、第二电极基区、第三电极基区、第一导电类型半导体、隔离区； 所述PMOS区包括第二电极、第四电极、第二绝缘材料、第二导电类型半导体、第四电极重掺杂欧姆接触区、第四电极基区； 所述载流子分布区包括漂移区、缓冲区、第一电极重掺杂欧姆接触区、第一电极； 所述绝缘区上设置有第二电极基区、第三电极基区、漂移区和缓冲区，所述第二电极基区、第三电极基区、漂移区和缓冲区在绝缘区上放沿长度方向依次水平排列； 所述第二电极基区的上方设置有第二电极；所述第二电极基区内设置有第二电极重掺杂欧姆接触区，所述第二电极重掺杂欧姆接触区接触第二电极； 所述第二电极基区和第三电极基区旁连接隔离区，且隔离区沿绝缘区的宽度方向分布，所述第三电极基区与漂移区之间设置有第一导电类型半导体，且第一导电类型半导体连接第三电极基区与隔离区； 所述第二电极贯穿连接第二电极重掺杂欧姆接触区、第二电极基区和隔离区；所述第三电极基区的上方设置有第三电极，且第三电极与第三电极基区之间设置有第一绝缘材料，所述第一绝缘材料接触第二电极重掺杂欧姆接触区；所述绝缘区上方设置有第四电极，所述第四电极与绝缘区之间设置有第二绝缘材料； 所述缓冲区的上方依次叠加设置有第一电极重掺杂欧姆接触区和第一电极，所述第四电极基区内设置有第四电极重掺杂欧姆接触区，且第四电极重掺杂欧姆接触区的上端接触第二电极和第二绝缘材料，所述第四电极基区旁连接有第二导电类型半导体，所述第四电极基区和第二导电类型半导体沿绝缘区的长度方向排列，所述第一导电类型半导体和第二导电类型半导体沿绝缘区的宽度方向排列。

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