北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司谢晶获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司申请的专利超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115441176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211151723.2，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法是由谢晶;李建强;皮健;林杰;杜君;姜帆;赵军伟;马玉松设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法。其中，该超高频RFID近场天线包括：介质基板和金属地，所述金属地设于所述介质基板的一侧；辐射阵子，所述辐射阵子设于所述介质基板且位于所述介质基板远离所述金属地的另一侧，所述辐射阵子适于与RFID读写器连接；微带射频衰减器，所述微带射频衰减器设于所述辐射阵子且与所述金属地连接，所述微带射频衰减器用于衰减信号。该超高频RFID近场天线通过加载微带射频衰减器的传输线，利用不同位置识别信号强度的阶梯值，将返回的响应信号强度与预设信号强度阈值进行比较，实现待测物体的识别和定位功能。
本发明授权超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法在权利要求书中公布了：1.一种超高频RFID近场天线，其特征在于，包括： 介质基板和金属地，所述金属地设于所述介质基板的一侧； 辐射阵子，所述辐射阵子设于所述介质基板且位于所述介质基板远离所述金属地的另一侧，所述辐射阵子适于与RFID读写器连接； 微带射频衰减器，所述微带射频衰减器设于所述辐射阵子且与所述金属地连接，所述微带射频衰减器用于衰减信号，所述微带射频衰减器为多个，多个所述微带射频衰减器依次串联连接，沿所述辐射阵子的长度方向上，任意相邻两个所述微带射频衰减器间的间隔距离相同。
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