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龙图腾网获悉西安空间无线电技术研究所申请的专利一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203577.3，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法是由李韵;李小军;封国宝;李斌;苗光辉;高妍设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法，包括：建立点阵空间结构三维位置模型；确定标准入射电子集；计算得到初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0的N个入射电子入射到点阵空间结构三维位置模型时产生的二次电子的数量；计算得到点阵空间结构三维位置模型在初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0时的二次电子发射系数；获取实验得到的二次电子发射系数实验值，并确定修正系数；改变入射电子的初始入射能量和初始入射角度，计算得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时的二次电子发射系数并进行修正后输出。本发明实现了3D打印随机点阵二次电子发射系数的确定，具有物理结构稳定、与器件结合度优异的优势。

本发明授权一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法在权利要求书中公布了：1.一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括： 步骤1，建立点阵空间结构三维位置模型； 步骤2，确定标准入射电子集；其中，标准入射电子集中包括N个入射电子，标准入射电子集中的各入射电子的初始入射能量均为E0、初始入射角度均为θ0、初始入射位置分别为Di 0；E0＝100eV，θ0＝0°，i＝1,2,3,...,N； 步骤3，计算得到初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0的N个入射电子入射到点阵空间结构三维位置模型时产生的二次电子的数量N0； 步骤4，根据N0，计算得到点阵空间结构三维位置模型在初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0时的二次电子发射系数De10； 步骤5，获取实验得到的二次电子发射系数实验值Der，并根据Der和De10确定修正系数AW； 步骤6，改变入射电子的初始入射能量和初始入射角度，得到K组不同初始入射能量、不同初始入射角度的入射电子集；其中，第k组入射电子集中的各入射电子的初始入射能量均为Ek、初始入射角度均为θk、初始入射位置分别为k＝1,2,3,...,K，j＝1,2,3,...,Mk，Mk表示第k组入射电子集中的入射电子的数量；重复步骤3～4，计算得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时的二次电子发射系数De1k； 步骤7，根据修正系数AW对De1k进行修正，得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时修正后的二次电子发射系数Dek并输出。

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