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西安电子科技大学刘伟峰获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115411112B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211197397.9,技术领域涉及:H10D30/60;该发明授权一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法是由刘伟峰;连浩如;包军林;张栋;张士琦;宋建军设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法在说明书摘要公布了:一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法,包括单晶Si衬底,Si衬底表面为P型Si层,P型Si层侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料,P型Si层表面为栅氧化层,栅氧化层表面为多晶硅,位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区,轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区,重掺杂的源漏区表面为金属导线层,轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙,Si侧墙两侧为SiO2侧墙,Si侧墙表面为铝金属层,铝金属层表面为金属导线层,金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响,实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作,在漏端嵌入SBD工艺简单,制作成本低。

本发明授权一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件,其特征在于,包括单晶Si衬底001,Si衬底001表面为P型Si层002,P型Si层002侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料005,P型Si层002表面为栅氧化层006,栅氧化层006表面为多晶硅007,位于栅氧化层006两侧的P型Si层002上为轻掺杂的源漏区008,轻掺杂的源漏区008与SiO2材料005之间的P型Si层002处为重掺杂的源漏区012,重掺杂的源漏区012表面为金属导线层016,轻掺杂的源漏区008表面为淀积轻掺杂的Si侧墙010,淀积轻掺杂的Si侧墙010两侧为SiO2侧墙011,Si侧墙010表面为铝金属层015,铝金属层015表面为金属导线层016,金属导线层016表面为用于钝化电介质的SiN材料017。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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