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龙图腾网获悉华南理工大学;广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利光罩及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115561961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211293266.0，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权光罩及半导体结构的制备方法是由胡晓峰;沈安星;乔学军设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本光罩及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种光罩及半导体结构的制备方法，所述光罩设有多个平行间隔排布的第一光罩图形，以及在第一光罩图形的延伸方向上设有第二光罩图形，其中，第一光罩图形与第二光罩图形具有第一间距，第二光罩图形正投影在待曝光器件目标区域的第一投影与多个第一光罩图形正投影在目标区域的第二投影至少部分重合，第一间距根据待曝光器件的曝光参数设置。由于本申请将两种不同的光罩图形设计在同一个光罩上，并可以根据不同的应用需求通过移动光罩即可形成两种不同的曝光图形，从而能够减少版图设计面积。

本发明授权光罩及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光罩，其特征在于，所述光罩设有多个平行间隔排布的第一光罩图形，以及在所述第一光罩图形的延伸方向上设有第二光罩图形，其中， 所述第一光罩图形与所述第二光罩图形具有第一间距，所述第二光罩图形正投影在待曝光器件目标区域的第一投影与多个所述第一光罩图形正投影在所述目标区域的第二投影至少部分重合，所述第一间距根据所述待曝光器件的曝光参数设置； 所述光罩还设有第一对位标记图形以及第二对位标记图形；所述第一对位标记图形以及所述第二对位标记图形位于所述光罩的空余区域；所述第一对位标记图形正投影在所述待曝光器件对位区域的第三投影与所述第二对位标记图形正投影在所述对位区域的第四投影完全重合；所述第一对位标记图形与所述第二对位标记图形之间具有第二间距，所述第二间距与所述第一间距相等； 其中，所述目标区域为所述待曝光器件的第一有源区，在采用各所述第一光罩图形对所述第一有源区进行曝光和第一离子注入时，所述第二光罩图形位于所述第一有源区之间的浅沟槽隔离结构区域或者不会影响到形成的半导体结构的空余区域；在采用各所述第二光罩图形对所述第一有源区进行曝光和第一离子注入时，所述第一光罩图形位于所述第一有源区之间的浅沟槽隔离结构区域或者不会影响到形成的半导体结构的空余区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学;广州粤芯半导体技术有限公司，其通讯地址为：510665 广东省广州市天河区五山路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。