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龙图腾网获悉中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心申请的专利一种片式浓差型氧传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211317846.9，技术领域涉及：G01N27/407；该发明授权一种片式浓差型氧传感器及制备方法是由赵毅;李冉;张田君;刘晓庆;杨得锐设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片式浓差型氧传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片式浓差型氧传感器及制备方法，该氧传感器由下到上依次为加热器承载氧化锆生瓷胚，过渡氧化锆生瓷胚，气体流道氧化锆生瓷胚和电极承载氧化锆生瓷胚；各氧化锆生瓷胚采用至少2层的氧化锆生瓷带通过等静压工艺叠压制备而成；本发明中气体流道氧化锆生瓷胚划切有气体流道，气体流道中填充碳基牺牲材料；本发明的加热器承载氧化锆生瓷胚和电极承载氧化锆生瓷胚上划切电连接通孔，电连接通孔的孔壁内灌满氧化铝绝缘浆料，并以该电连接通孔为同心圆，划切补孔，补孔内填充导体。本发明采用预叠合工艺减少工艺流程，提高加工效率，本发明通过增厚孔壁氧化铝厚度的方式，提高氧化锆与铂之间的距离，提高绝缘性能，杜绝漏电流的影响。

本发明授权一种片式浓差型氧传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片式浓差型氧传感器的制备方法，其特征在于，包括： 制备氧化锆生瓷胚并进行预加热处理；制备的所述氧化锆生瓷胚包括：加热器承载氧化锆生瓷胚、电极承载氧化锆生瓷胚、过渡氧化锆生瓷胚和气体流道氧化锆生瓷胚；所述制备氧化锆生瓷胚包括：采用至少2层的氧化锆生瓷带，通过等静压工艺叠压制备成氧化锆生瓷胚；所述加热器承载氧化锆生瓷胚采用3-5层氧化锆生瓷叠压，所述电极承载氧化锆生瓷胚采用3-5层氧化锆生瓷叠压，所述过渡氧化锆胚采用2-4层氧化锆生瓷叠压，所述气体流道氧化锆生瓷胚采用2-3层氧化锆生瓷叠压；单层氧化锆生瓷带的厚度为120-130um；所述等静压工艺温度为70-90℃，压力为30-40Mpa； 在预加热处理后的加热器承载氧化锆生瓷胚和电极承载氧化锆生瓷胚上划切电连接通孔，以及在预加热处理后的气体流道氧化锆生瓷胚上划切气体流道；所述预加热处理的温度为70-90℃，时间为10-20min； 在加热器承载氧化锆生瓷胚上印刷加热器层和加热器端引脚并补孔，以及在电极承载氧化锆生瓷胚上印刷电极和电极端引脚； 依次按照加热器承载氧化锆生瓷胚、过渡氧化锆生瓷胚、气体流道氧化锆生瓷胚和电极承载氧化锆生瓷胚的顺序进行叠压，并进行热等静压处理； 将热等静压后的氧化锆生瓷胚进行热切和排胶烧结，得到片式浓差型氧传感器。

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