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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种A-B-A纳米三聚体阵列的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211374996.3，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种A-B-A纳米三聚体阵列的制备方法及应用是由郝祺;赵星;邱腾设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种A-B-A纳米三聚体阵列的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种A‑B‑A纳米三聚体阵列的制备方法及应用，该方法为：通过带有角度的倾斜沉积法将A材料沉积在双通纳米孔阵列模板上制得A‑A二聚体纳米阵列；通过物理气相沉积法在上述模板的表面沉积材料调控模板的孔径大小，使得B材料能够沉积至A‑A二聚体的间隙内部或附近；最后将B材料沉积至A‑A二聚体的间隙内部或周围，去除模板，获得A‑B‑A三聚体纳米阵列。在本发明中A材料提供等离激元“热点”，B为特异性吸附靶分子材料，通过精准构筑将B纳米颗粒沉积在A‑A纳米颗粒之间，保证靶分子吸附在“热点”，解决了表面增强拉曼散射中“热点”不均匀分布问题。本发明可作为光谱传感芯片用于单分子检测以及催化研究等领域。

本发明授权一种A-B-A纳米三聚体阵列的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种A-B-A纳米三聚体阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）制备双通纳米孔阵列模板； （2）通过带有角度的倾斜沉积法将A材料沉积在双通纳米孔阵列模板上制得A-A二聚体纳米阵列；所述A材料为具有拉曼增强效应或荧光增强效应的金属纳米粒子； （3）通过物理气相沉积法在步骤（2）的双通纳米孔阵列模板的表面沉积金属材料，用于调控双通纳米孔阵列的孔径大小，使得B材料能够沉积至A-A二聚体的间隙内部或间隙周围；所述的物理气相沉积法仅能使材料主要沉积至双通纳米孔阵列模板的表面，而较少或者不会沉积至A-A二聚体附近；所述的物理气相沉积法为磁控溅射；所述磁控溅射的参数为：载气流量为4-12sccm，功率为40-90W，在真空值为9.49*10-1-9.67*10-1Pa，开始金属靶材沉积，镀膜时间为50-200s； （4）将B材料沉积至步骤（3）的A-A二聚体的间隙内部或间隙周围，结束后去除双通纳米孔阵列模板，获得A-B-A三聚体纳米阵列；所述B材料为Au、Pt、Cu、Ag、Pd、SiOx、TiOx、Al2O3、WOx、MgF2、TiN中的至少一种。

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