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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115627534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376410.7，技术领域涉及：C30B29/12；该发明授权掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法是由李春;石学明;杨蔚岭;陈汝嘉;曾繁明;林海;刘丽娜;李莎莎;姜喜亮;冷壮;张天庆设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法在说明书摘要公布了：掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法属于发光材料技术领域。现有CsPbBr3钙钛矿材料的环境稳定性较差。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体以CsPbBr3为发光中心，所述掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体属立方晶系，分子式为KBr:CsPbBr3，CsPbBr3为掺杂，晶体基质为KBr。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体的生长方法其步骤包括生长料制备、晶体生长以及退火，在生长料制备步骤中，按CsBr:PbBr2＝1.2～1.8:1的摩尔比加入CsBr、PbBr2，按CsPbBr3在KBr:CsPbBr3中的摩尔浓度大于0.5at.％、小于45at.％确定KBr的加入量；在晶体生长步骤中，采用提拉法生长KBr:CsPbBr3晶体，工艺参数确定为：提拉速度0.8～1.5mmh，旋转速度2～15rpm，生长温度721～728℃；在退火步骤中，停止提拉，在生长温度下保温25～35min，随后自然降温至650℃时保温5～6h，再自然降温至室温。

本发明授权掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法在权利要求书中公布了：1.掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体的生长方法，其步骤包括生长料制备、晶体生长以及退火，其特征在于，在生长料制备步骤中，按CsBr：PbBr2＝1.2～1.8：1的摩尔比加入CsBr、PbBr2，按CsPbBr3在KBr：CsPbBr3中的摩尔浓度大于0.5at.％、小于45at.％确定KBr的加入量；在晶体生长步骤中，采用提拉法生长KBr：CsPbBr3晶体，工艺参数确定为：提拉速度0.8～1.5mmh，旋转速度2～15rpm，生长温度721～728℃；在退火步骤中，停止提拉，采用原位炉内的退火方式，在生长温度下保温25～35min，随后自然降温至650℃时保温5～6h，再自然降温至室温。

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