江西兆驰半导体有限公司李文涛获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211387053.4，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，具体地涉及一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括衬底、外延层、第一段布拉格反射层、第二段布拉格反射层，所述外延层置于所述衬底之上，所述第一段布拉格反射层置于所述衬底背离所述外延层的一面，用于反射与所述衬底夹角介于45°～90°的光线，所述第二段布拉格反射层置于所述第一段布拉格反射层背离所述衬底的一面，用于反射与所述衬底夹角介于0～45°的光线，所述第二段布拉格反射层中心设有贯穿至所述第一段布拉格反射层的第二段布拉格反射层通孔。本发明能够增强发光二极管芯片的侧面出光，增加中心光强，使得发光二极管芯片中心与边缘发光均匀。
本发明授权一种倒装BLU发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装BLU发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底、外延层、第一段布拉格反射层、第二段布拉格反射层，所述外延层置于所述衬底之上，所述第一段布拉格反射层置于所述衬底背离所述外延层的一面，用于反射与所述衬底夹角介于45°～90°的光线，所述第二段布拉格反射层置于所述第一段布拉格反射层背离所述衬底的一面，用于反射与所述衬底夹角介于0～45°的光线，所述第二段布拉格反射层中心设有贯穿至所述第一段布拉格反射层的第二段布拉格反射层通孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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