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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种功率模组混合集成封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211382638.7，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权一种功率模组混合集成封装结构及封装方法是由黄海波;崔守俊;顾鸣伟;苗胜;庞焱;索旭;梅世亮;姜德胜;杨渊智设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率模组混合集成封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率模组混合集成封装结构及封装方法。所述封装结构包括：塑封外壳、金属芯基板、散热焊盘、电气焊盘、半导体IC、电路连线，其中金属芯基板包含带有开槽和凸台结构的基底、树脂绝缘层、叠层结构。所述封装方法包括：所述半导体IC通过焊接安装在所述金属芯基板的凸台和叠层结构上；所述散热焊盘通过热压融合在所述金属芯基板的基底上；所述电气焊盘粘结在所述金属芯基板的开槽结构中；所述电气焊盘、半导体IC管通过所述电路连线与所述叠层结构键合；所述塑封外壳通过注塑工艺与所述金属芯基板的树脂绝缘层连接，形成气密封装。本申请适用高冲载、高散热、高集成化封装的相关应用场景。

本发明授权一种功率模组混合集成封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种功率模组混合集成封装结构，其特征在于，包括：金属芯基板、散热焊盘、电气焊盘、半导体IC、电路连线、塑封外壳； 所述金属芯基板包括带有开槽和凸台结构的基底、树脂绝缘层和叠层结构；所述叠层结构包括电气层、绝缘层和通孔结构； 所述半导体IC包括功率IC和非功率IC，所述功率IC包括正面封装功率IC和垂直封装功率IC，其中所述正面封装功率IC的电极在有源面上，所述垂直封装功率IC的大电流电极在背面，小电流电极在正面； 所述散热焊盘设置在所述金属芯基板的基底无凸台结构一侧；所述电气焊盘设置在所述金属芯基板的开槽结构中；所述正面封装功率IC设置在所述金属芯基板的凸台结构上；所述垂直封装功率IC设置在所述金属芯基板的叠层结构上；所述非功率IC通过倒装工艺设置在所述金属芯基板的叠层结构上；所述电气焊盘、半导体IC通过所述电路连线与所述叠层结构键合；所述半导体IC通过所述电路连线与所述通孔结构建内部电气回路，通过所述电路连线与所述电气焊盘形成外部电气回路；所述塑封外壳与所述金属芯基板的树脂绝缘层连接，形成密闭结构。

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