买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于VO₂相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211417870.X，技术领域涉及：H03H9/46；该发明授权基于VO₂相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器是由陈志强;田文超;辛菲;徐瀚洋设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于VO₂相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开的基于VO2相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器，从下到上依次包括：SiO2基板、包含四个独立电极模块的底部电极、包含四个平板的Si3N4双端固支平板、包含四个独立电极模块的顶部电极、Si3N4绝缘层、加热电阻、VO2层；顶部电极与底部电极相对应；加热电阻位于Si3N4绝缘层上方且其电阻最大区域位于Si3N4双端固支平板的两端区域；加热电阻采用Pt制作以增加其耐高温特性，同时加热电阻由不同宽度的Pt金属带构成以保证Si3N4双端固支平板上下平板区域的电阻值最大。

本发明授权基于VO₂相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器在权利要求书中公布了：1.基于VO2相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器，其特征在于，所述滤波器由两个频率单独可调的MEMS平板谐振器构成；包括SiO2基板（1），所述SiO2基板（1）位于滤波器的最下方；所述SiO2基板（1）上方设置有底部电极（2），包含四个平板的Si3N4双端固支平板（3）位于底部电极（2）上方，所述Si3N4双端固支平板（3）通过刻蚀与底部电极（2）以及SiO2基板（1）之间形成若干微米级的间隙；所述Si3N4双端固支平板（3）上方设置有顶部电极（4），且顶部电极（4）位于Si3N4双端固支平板（3）的四个平板处、位置与底部电极（2）一一对应；所述顶部电极（4）上方设置有Si3N4绝缘层（5），所述Si3N4绝缘层（5）用于隔绝顶部电极（4）与加热电阻（6）之间的电气连接；所述加热电阻（6）位于Si3N4绝缘层（5）上方；所述加热电阻（6）上方设置有VO2层（7）； 所述底部电极（2）通过沉积与刻蚀法构型在SiO2基板（1）上，所述底部电极（2）包括底部电极a（8）、底部电极b（9）、底部电极c（10）、底部电极d（11）；所述底部电极c（10）与底部电极d（11）相对布置，所述底部电极a（8）与底部电极b（9）相对布置在底部电极c（10）与底部电极d（11）之间；所述底部电极a（8）、底部电极b（9）、底部电极c（10）、底部电极d（11）分别通过微带线a（12）、微带线b（13）、微带线c（14）以及微带线d（15）连接至外部电路； 所述加热电阻（6）沉积在Si3N4绝缘层（5）上，每个加热电阻（6）由一对各段宽度不同的Pt金属微带相对分布构成，每个Pt金属微带（25）的中间部分有两处矩形凸起，其中凸起部分的Pt金属微带最窄以保证此处电阻最大； 所述VO2层（7）通过脉冲激光沉积法沉积在加热电阻（6）上方，所述VO2层（7）与Pt金属微带构成的加热电阻（6）结构互补，形状为两条Pt金属微带围成的双十字结构；所述VO2层（7）的十字短板位于加热电阻（6）的Pt金属微带最窄处正上方。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。