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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410913.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体测试结构及其制备方法是由谷东光;常建光;李留洋设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体测试结构及其制备方法。所述半导体测试结构，包括：第一测试模块，所述第一测试模块包括沿第一方向延伸的至少一第一子测试模块，所述第一子测试模块包括形成于半导体衬底上的多个第一测试单元；多个所述第一测试单元沿所述第一方向间隔排布、且多个所述第一测试单元的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，以用于在所述第一方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试。本发明可以对半导体器件的不同工艺窗口进行测试，从而选择适用于目标膜层和或目标结构的合适关键尺寸以优化工艺窗口，进而采用优化后的工艺窗口应用于相应的半导体器件制程中，以有效提高半导体器件的制备良率。

本发明授权半导体测试结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试模块，所述第一测试模块包括沿第一方向延伸的至少一第一子测试模块，所述第一子测试模块包括形成于半导体衬底上的多个第一测试单元；多个所述第一测试单元沿所述第一方向间隔排布、且多个所述第一测试单元的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，以用于在所述第一方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试；每一所述第一测试单元包括：多个第一凹槽，形成于所述半导体衬底的有源区，并沿所述第一方向间隔排布；第一待测试膜层，形成于所述第一凹槽内；多个第一栅极结构，形成于所述半导体衬底上并沿所述第一方向间隔排布，其中，每一所述第一栅极结构与一所述第一待测试膜层相邻设置；第二待测试膜层，形成于所述第一栅极结构远离所述半导体衬底的表面；多个第一孔结构，通过采用沿所述第一方向逐渐改变的关键尺寸在所述第一待测试膜层以及所述第二待测试膜层对应区域进行刻蚀形成，并沿所述第一方向间隔排布，每一所述第一孔结构与一所述第一栅极结构相邻设置；所述第一待测试膜层及第二待测试膜层的材料均为金属硅化物。

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