中国电子科技集团公司第四十四研究所李睿智获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211411162.5，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法是由李睿智;张勇;郭安然;邓挺;杜雨倩设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法，属于半导体光电探测器芯片加工技术领域。该结构包括多个硅光电倍增管单元、多个隔离槽结构、硅外延层、高反射金属层、永久键合胶层和载体片；硅光电倍增管单元部分嵌入硅外延层，部分固定在硅外延层上表面；隔离槽结构嵌入硅外延层，用于隔离相邻的硅光电倍增管单元；高反射金属层固定在硅外延层下表面；载体片通过永久键合胶层永久键合在高反射金属层下表面。本发明可以大幅度降低硅光电倍增管结构后脉冲，同时降低制作工艺难度和制作成本。
本发明授权一种低后脉冲硅光电倍增管结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低后脉冲硅光电倍增管结构，其特征在于，该结构包括多个硅光电倍增管单元（100）、多个隔离槽结构（105）、硅外延层（104）、高反射金属层（103）、永久键合胶层（102）和载体片（101）； 所述硅光电倍增管单元（100）部分嵌入硅外延层（104），部分固定在硅外延层（104）上表面；所述隔离槽结构（105）嵌入硅外延层（104），其嵌入深度低于硅外延层（104）厚度，用于隔离相邻的硅光电倍增管单元（100）；所述高反射金属层（103）固定在硅外延层（104）下表面；所述载体片（101）通过永久键合胶层（102）永久键合在高反射金属层（103）下表面。
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