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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211473079.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、前垒缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述前垒缓冲层包括依次层叠于所述应力释放层上的SixN1‑x层，SiyInzGa1‑x‑yN层和InbGa1‑bN层，其中，x的取值范围为0.1‑0.3，y的取值范围为0‑0.8，z的取值范围为0‑0.8，b的取值范围为0.2‑0.6。本发明提供的发光二极管外延片能够提高光效的同时增强外延片的抗ESD的能力。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、前垒缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层； 所述前垒缓冲层包括依次层叠于所述应力释放层上的SixN1-x层、SiyInzGa1-x-yN层和InbGa1-bN层，其中，x的取值范围为0.1-0.3，y的取值范围为0-0.8，z的取值范围为0-0.8，b的取值范围为0.2-0.6； 所述SiyInzGa1-x-yN层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层； 所述第二子层的Si浓度高于所述第一子层，所述第三子层的Si浓度高于所述第四子层； 所述第二子层的In浓度低于所述第一子层，所述第三子层的In浓度低于所述第四子层； 所述第一子层的y取值范围为0-0.1，z取值范围为0.3-0.6； 所述第二子层的y取值范围为0.5-0.8，z取值范围为0-0.1； 所述第三子层的y取值范围为0.4-0.7，z取值范围为0.1-0.2； 所述第四子层的y取值范围为0-0.2，z取值范围为0.5-0.8。

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