杭州富芯半导体有限公司苏文华获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利磁场检测方法及磁场检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211502794.2，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权磁场检测方法及磁场检测系统是由苏文华;邵帅;曹炜设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁场检测方法及磁场检测系统在说明书摘要公布了：本申请为一种磁场检测方法，包括：施加磁场至法拉第杯；控制驱动模组驱动隔离器远离法拉第杯，以允许离子束进入法拉第杯；控制驱动模组驱动法拉第杯移动以接收离子束，并记录离子束进入法拉第杯的入射位置；根据入射位置取得偏转半径；根据偏转半径、离子束的元素质量、离子束的速度以及离子束的电荷数计算磁场。本申请可透过记录入射位置来取得离子束的偏转半径，进而根据偏转半径来取得磁场，而不影响法拉第杯的运行及测量的精准度。
本发明授权磁场检测方法及磁场检测系统在权利要求书中公布了：1.一种磁场检测方法，其特征在于，包括： 施加磁场至法拉第杯20； 控制驱动模组60驱动隔离器50靠近所述法拉第杯20且允许离子束B1穿越所述隔离器50的穿孔51而进入所述法拉第杯20； 控制所述驱动模组60驱动所述法拉第杯20移动以接收所述离子束B1，并记录所述离子束B1进入所述法拉第杯20的入射位置； 根据所述入射位置取得偏转半径；以及 根据所述偏转半径、所述离子束B1的元素质量、所述离子束B1的速度以及所述离子束B1的电荷数计算磁场； 检测对应所述离子束B1的第一离子束电流； 根据所述入射位置及所述第一离子束电流产生第一曲线图； 从所述第一曲线图寻找所述第一离子束电流的最大值； 根据所述第一离子束电流的最大值，从所述入射位置寻找对应的第一位置； 计算所述第一位置和参考位置的第一差值，其中所述参考位置为预先出厂时最大离子束电流所对应的位置；以及 判断所述第一差值是否在预设范围。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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