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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211522343.5，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关是由沈光煦;马海涛设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关，属于基本电子电路的技术领域。该开关包括：第一射频端口、第二射频端口、以及接在第一射频端口和第二射频端口之间的多级拓扑结构，每级拓扑结构均包含：第一直流端口、第二直流端口、第一晶体管、第二晶体管、第一匹配电路、第二匹配电路、第三匹配电路、第四匹配电路、一个耦合T型电感单元，通过耦合T型电感单元与两个晶体管形成两个传输极点，通过控制耦合电感间的耦合间距、耦合电感自身的电感值、接地电感的电感值，可以在实现大耦合度的同时展宽开关的工作带宽。

本发明授权一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关在权利要求书中公布了：1.一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关，其特征在于，包括：第一射频端口、第二射频端口、以及接在第一射频端口和第二射频端口之间的多级拓扑结构，每级拓扑结构均包含：第一直流端口、第二直流端口、第一晶体管、第二晶体管、第一匹配电路、第二匹配电路、第三匹配电路、第四匹配电路、耦合T型电感单元，所述第一射频端口与第一匹配电路的一端电连接，第一晶体管的漏极与第一匹配电路的另一端、第三匹配电路的一端电连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的栅极连接第一直流端口，第三匹配电路的另一端与耦合T型电感单元的左端电连接，耦合T型电感单元的右端与第四匹配电路的一端电连接，第四匹配电路的另一端与第二晶体管的漏极、第二匹配电路的一端电连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的栅极连接第二直流端口，第二匹配电路的另一端连接第二射频端口； 其中，所述耦合T型电感单元包括：接地电感、相互耦合的第一电感、第二电感，第一电感的一端为耦合T型电感单元的左端，第一电感的另一端与第二电感的一端连接，第二电感的另一端作为耦合T型电感单元的右端，接地电感的一端与第一电感和第二电感的连接点电连接，接地电感的另一端接地。

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