上海华虹宏力半导体制造有限公司朱景润获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115811883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211579332.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件的制造方法是由朱景润;沈思杰;刘宪周设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，通过第一刻蚀工艺，去除开口暴露的控制栅层，此时控制栅层的靠近第一侧墙的顶角处存在突起；通过第二刻蚀工艺去除所述突起及开口暴露的层间介质层，以使所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的交界处平直；形成覆盖所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明通过第二刻蚀工艺去除第一刻蚀工艺中形成的突起，减少或避免第二侧墙出现厚度不均匀或断开的情况，拓宽了后续工艺的工艺窗口，改善了字线与控制栅之间的击穿电压。
本发明授权闪存器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅层的开口，且所述开口的侧壁上形成有第一侧墙； 进行第一刻蚀工艺，去除所述开口暴露的控制栅层，使所述开口暴露所述层间介质层，所述控制栅层的靠近所述第一侧墙的顶角处存在突起； 进行第二刻蚀工艺，去除所述突起以及所述开口暴露的层间介质层，以使所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的交界处平直； 形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁； 去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及， 去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。
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