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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种高性能带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211566786.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高性能带隙基准电路是由赵科伟;王贵宇;刘轶设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能带隙基准电路，本电路通过启动电路进行启动，然后在通过核心电路模块输出经过曲率补充电路，降低温漂系数的基准电压，基准电压在通过一二级缓冲器进行输出，在一级缓冲器进行普通增益放大，提高负载能力，在二级缓冲器，将单端输出变为差分输出，提高电路的适用性；另外还增加了调节电路单元，所述电路通过调节电路单元中的电阻阵列的控制下，使得在面对制造过程中产生的误差，依然可以保持一个比较稳定的输出结构，在缓冲器的工作下，整个基准电压模块最终提供一个稳定差分参考电压，同时输出四个稳定的电流源为偏置电流。本电路属于低功耗电路，在提高电路精度的情况下，还能够降低电路整体功耗，能够运用于多种领域。

本发明授权一种高性能带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种高性能带隙基准电路，其特征在于：包括带隙基准核心模块、缓冲器模块，带隙基准核心模块接入预设电源电压并输出预设基准电压；预设基准电压经缓冲器模块输出预设差分参考电压； 带隙基准核心模块包括带隙基准核心电路单元、曲率修正电路单元，带隙基准核心电路单元与曲率修正电路单元连接，预设电源电压经带隙基准核心电路单元、曲率修正电路单元输出预设基准电压； 带隙基准核心电路单元包括第一放大器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、电阻RCL1、电阻RCL2、电阻R1、电阻R2，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3的源极接入预设电源电压，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3的栅极相连接入第一放大器的输出端，MOS管M1的漏极经电阻RCL1分别连接第一放大器的正相输入端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接晶体管Q1的发射极，MOS管M2的漏极经电阻RCL2分别连接第一放大器的反相输入端、晶体管Q2的发射极，晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3的基极和集电极均接GND，MOS管M3的漏极经电阻R2与晶体管Q3的发射极连接，并且MOS管M3的漏极作为所述带隙基准核心模块输出端输出预设基准电压； 曲率修正电路单元包括第二放大器、MOS管M5、MOS管M6、电阻R3、电阻R4、晶体管Q4，MOS管M5、MOS管M6的源极连接并接入预设电源电压，MOS管M5、MOS管M6的栅极相连并接入第二放大器的输出端，第二放大器的反相输入端接所述MOS管M3的漏极，第二放大器的同相输入端分别连接MOS管M5的漏极、电阻R3的一端，MOS管M6的的漏极分别连接电阻R4的一端、晶体管Q4的发射极，晶体管Q4的基极和集电极、电阻R3的另一端接GND，电阻R4的另一端与所述晶体管Q3的发射极连接。

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